BSC028N06LS3GATMA1 模擬IC的整體銷售額同比下降1.8%。 自 2023 年 1 月以來已連續(xù) 13 個(gè)月出現(xiàn)負(fù)增長，主要是由于通用模擬IC的低迷。 但在新冠疫情期間這種芯片的供應(yīng)極為困難，因此，世界各地的臨時(shí)需求激增。 現(xiàn)在芯片供應(yīng)已經(jīng)恢復(fù)正常，臨時(shí)需求也已消失，因此必須對(duì)過去的需求進(jìn)行調(diào)整。

BSC028N06LS3GATMA1以具體應(yīng)用的模擬IC為例，手機(jī)銷售在 2023 年 9 月之前連續(xù) 12 個(gè)月負(fù)增長，但自 2023 年 10 月起轉(zhuǎn)為正增長。2024 年 1 月的表現(xiàn)尤為突出，比同月增長了 38.9%。相比之下，長期保持 20% 以上增長的車載模擬IC突然開始停滯，2023 年 12 月增長 10.9%，2024 年 1 月僅增長1.9%。

由于 MPU 市場(chǎng)的回暖，微處理器市場(chǎng)整體按年增長 8.1%，自 2023 年 7 月以來連續(xù)七個(gè)月錄得正增長。2024 年 1 月，MPU 市場(chǎng)增長尤為強(qiáng)勁，同比增長 33.1%，證明個(gè)人電腦市場(chǎng)的需求正在復(fù)蘇。相比之下，MCU 市場(chǎng)自 2023 年 11 月以來已連續(xù)三個(gè)月出現(xiàn)負(fù)增長，2024 年 1 月更是大幅下滑 22.0%。汽車 MCU 市場(chǎng)與汽車模擬市場(chǎng)一樣，長期保持 20% 以上的增長，但 2023 年 12 月增長 15.3%，2024 年 1 月下降 9.5%，陷入負(fù)增長。

BSC028N06LS3GATMA1  MOSFETOptiMOSTM3 功率晶體管，60V 特性?非常適合高頻開關(guān)和同步記錄?DC/DC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化技術(shù)?出色的柵極電荷xRDS(on) 產(chǎn)品(FOM)?極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)?卓越的熱阻?N 溝道，邏輯電平?100% 雪崩測(cè)試?無鉛電鍍；

符合RoHS?符合JEDEC1 標(biāo)準(zhǔn)) 適用于目標(biāo)應(yīng)用?不含鹵素，符合 IEC61249-2-21 表 1 關(guān)鍵性能參數(shù) 參數(shù)值 單位 VDS 60 VRDS(on)，最大 2.8 mΩ

BSC028N06LS3GATMA1  詳細(xì)參數(shù)

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid BSC028N06LS3G
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 2008296575
針數(shù) 8
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China, Malaysia
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 7.49
YTEOL 5.6
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等級(jí)（Eas） 298 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (ID) 100 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.0028 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-F5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 139 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 400 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間 40
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料SILICON

BSC028N06LS3GATMA1 觀察汽車行業(yè)的動(dòng)向，中國在2022年底，歐洲在2023年底終止了針對(duì)電動(dòng)汽車（EV）的補(bǔ)貼政策。盡管補(bǔ)貼的終止早有預(yù)料，但可能受到利率上升等影響，奔馳、福特、通用汽車（GM）、特斯拉等公司都在重新評(píng)估EV相關(guān)的投資計(jì)劃。這是否會(huì)影響車載半導(dǎo)體的需求呢？事實(shí)證明并沒有。

確實(shí)，EV市場(chǎng)的前景整體上出現(xiàn)了下調(diào)，但只是生產(chǎn)構(gòu)成發(fā)生了變化，比如增加了混合動(dòng)力車（HEV）和插電式混合動(dòng)力車（PHEV）的比例。汽車行業(yè)整體并非全面下滑。化合物功率半導(dǎo)體如SiC（碳化硅）可能受到EV需求的影響，但SiC在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中的比例僅為幾個(gè)百分點(diǎn)。目前，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的主要角色是使用硅的IGBT和MOSFET，到2023年，這兩種器件占據(jù)了93％的市場(chǎng)份額。

BSC028N06LS3GATMA1 盡管EV汽車份額的下降可能會(huì)對(duì)IGBT/MOSFET市場(chǎng)產(chǎn)生負(fù)面影響，但車載模擬和車載MCU的需求為何減少？這可能存在其他原因。

通用模擬和小信號(hào)器件已經(jīng)因臨時(shí)需求的消失而被迫負(fù)增長。而對(duì)于車載半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體來說，它們一直受到強(qiáng)勁的實(shí)際需求支撐。這無疑是事實(shí)，但難道沒有臨時(shí)需求出現(xiàn)嗎？在汽車行業(yè)中，難道對(duì)于難以獲得的車載半導(dǎo)體，只下達(dá)了最低數(shù)量的訂單嗎？絕對(duì)不是這樣。